Miernictwo warstw domieszkowych

W miernictwie warstw domieszkowanych można wyróżnić następujące dziedziny działalności pomiarowej: 1) kontrolę bieżącą, kontrolę rozszerzoną, miernictwo specjalne. Kontrolę bieżącą procesów dyfuzji, występujących w czasie wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych, prowadzi się zwykle, wykonując pomiary rezystancji powierzchniowej Rs na płytkach próbnych za pomocą sondy czteroostrzowej. W przypadku warstw implantowanych kontrola Rs nie jest konieczna z uwagi na dużą powtarzalność domieszkowania. Kontrolę rozszerzoną stosuje się przy wprowadzaniu nowych urządzeń, metod domieszkowania, a także przy wdrażaniu do produkcji nowych wyrobów i technologii. Wówczas pomiar Rs zwykle zostaje uzupełniony pomiarem głębokości złącza p-n, co przy założeniu kształtu rozkładu umożliwia oszacowanie rozkładu koncentracji domieszek. Pomiar Rs można także wykorzystać dla kontroli rozszerzonej procesu implantacji jonów, np. w celu doboru warunków implantacji oraz kolejnych procesów wysokotemperaturowych, w celu uzyskania żądanych parametrów warstwy domieszkowanej, co ma miejsce, gdy implantację stosuje się zamiast konwencjonalnego procesu predyfuzji. Do kontroli rozszerzonej należy również zaliczyć badania powtarzalności Rs i głębokości złącza p-n na partii płytek poddanej procesowi dyfuzji lub implantacji oraz badania jednorodności Rs w funkcji współrzędnych równoległych do powierzchni płytki. Ten ostatni problem pomiarowy nabrał dużego znaczenia w związku z wprowadzeniem do produkcji płytek o dużych średnicach. Badania takie mają na celu zwiększenie uzysku wyrobów, w szczególności układów scalonych o dużym stopniu scalenia.

Przeczytaj także: Metalizacja polaczen

W celu uzyskania dobrych właściwości elektrycznych kontaktu metalizacja wielowarstwowa?krzem na powierzchni Si w obszarach otworów kontaktowych wytwarza się cienką warstwę krzemku platyny.-Dobre rezultaty daje przeprowadzanie procesu osadzania platyny techniką rozpylania katodowego, z jednoczesnym trawieniem jonowym powierzchni czynnych otworów kontaktowych bezpośrednio przed osadzaniem próżniowym, w tym samym stanowisku próżniowym. W miarę możliwości technicznych zaleca się wykonywanie termicznego formowania kontaktu PtSi w próżni w tym samym stanowisku próżniowym bez zapowietrzania urządzenia i wyjmowania płytek krzemowych po operacjach trawienia jonowego powierzchni kontaktów i osadzania próżniowego platyny. Właściwości elektryczne kontaktu Si?PtSi zależą od koncentracji i typu domieszek w warstwie pod- kontaktowej, orientacji krystalograficznej podłoża, czystości powierzchni krzemu w otworze kontaktowym oraz od reakcji metalurgicznych zachodzących w czasie termicznego formowania krzemku platyny. Optymalizację technologii wytwarzania cienkiej warstwy PtSi przeprowadza się, stosując klasyczne pomiary rezystancji kontaktu Si?PtSi na strukturach testowych oraz wykorzystując w celu określenia morfologii warstw PtSi metody spektroskopii Augera. Prawidłowo uformowany kontakt omowy Si?PtSi powinien mieć rezystywność rzędu 10″11 Q ? m2.

………
– laserowe usuwanie owłosienia warszawa
– Poradnik blacharza Ratz
– gabloty stojące – centrum gablot
– Musztardówka
– gabloty zewnętrzne Paraga
– trener personalny kurs we wrocławiu
– tłumaczenia konsekutywne poznań
– Trójki pitagorejskie
– rozliczanie płacy minimalnej we francji 2016
– wynajem długoterminowy samochodów toruń